SSK 株式会社 新社会システム総合研究所

■概要■
性能向上のための異種材料界面の制御、界面で発現する現象や機能と活用技術について、基礎から最先端研究動向までまとめた書籍です。
各分野の第一人者、新材料の界面研究を先導する先生方にご執筆いただくことにより、目指す性能・機能、課題、研究の方向性が具体的に示されています。研究フィールドや応用対象などの専門を超えた、新たな知見やヒントを得ていただければ幸いです。

＜1＞パワー半導体の界面現象と制御技術
1．SiCパワー半導体の界面現象と制御
　・高効率パワーデバイスのためのワイドギャップ半導体材料
　・SiC MOSFET形成技術に残された課題:SiCのMOS界面現象の制御と特性向上
　・まとめ
2．GaN半導体デバイスのMIS界面評価と制御
　・GaN系MISデバイスのゲート絶縁膜
　・ワイドギャップ半導体のMIS界面評価
　・ヘテロ構造MIS界面の評価
　・GaN系半導体のMIS界面向上プロセス
　・課題と展望
3．ダイヤモンド絶縁膜の界面欠陥の原子イメージング

＜2＞半導体界面の制御と半導体異種集積・接合技術
1．金属/半導体界面の現象と電子物性制御
　・金属/半導体界面の電子物性
　・金属シリサイド/シリコン接合形成プロセス
　・金属/半導体接合の界面構造および電気伝導特性制御
　・まとめ
2．酸化物界面構造の機能と制御
　・研究の背景
　・界面で起こっている現象
　・界面形成と計測方法
　・酸化物界面構造の原子レベル制御
　・原子レベル制御した界面電子機能の創出
　・まとめ
3．半導体ウェハ接合技術の太陽電池応用
　・背景
　・半導体ウェハ接合技術
　・ウェハ接合による太陽電池
　・太陽電池用途のウェハ接合技術
　・その他のウェハ接合の太陽電池応用
　・まとめ
4．Si太陽電池の高性能化に向けたヘテロ界面制御
　・太陽電池の高性能化のキーテクノロジー
　・ヘテロ接合型シリコン太陽電池における界面制御技術
5．有機半導体の界面における光アップコンバージョン
　・用いた材料系の特徴とサンプル作製
　・アップコンバージョン発光の効率の算出
　・有機半導体界面でのアップコンバージョン発光
　・アップコンバージョン発光のメカニズム
　・有機半導体界面近傍での三重項励起状態の拡散挙動
6．化合物半導体ナノワイヤ異種集積技術
　・半導体異種集積技術の重要性
　・Si基板上のIII-V族化合物半導体ヘテロエピタキシャル成長技術
　・Si基板上のIII-V族化合物半導体ナノ構造の異種集積技術
　・Si基板上のIII-Vナノワイヤ異種集積技術
7．ハロゲン架橋金属錯体の一次元ヘテロ接合
　・ハロゲン架橋金属錯体(MX錯体)の概要
　・MX錯体ヘテロ結晶の作製
　・一次元ヘテロ接合の原子分解能観察
　・まとめと展望
8．異種材料接合による弾性波デバイスの高性能化
　・弾性波デバイスの動作原理と要求される特性
　・異種材料接合技術の弾性波デバイスへの適用例
　・水晶支持基板との異種材料接合によるSAWデバイスの高性能化
9．半導体異種材料接合技術:CFB(クリスタル・フィルム・ボンディング)
　・半導体デバイスの付加価値を向上するCFBソリューションの特長
　・応用事例1:フルカラーマイクロLEDディスプレイ
　・応用事例2:MEMS超音波センサー
　・応用事例3:縦型GaNパワーデバイスの社会実装に向けた新技術

＜3＞強磁性体・強磁性半導体の界面現象と制御技術
1．強磁性金属/酸化物の界面現象と制御
　・強磁性トンネル接合の界面物性
　・強磁性金属/酸化物界面の評価・解析
　・課題と展望
2．非磁性/強磁性半導体の二層ヘテロ接合の電子伝導現象とその制御
　・強磁性半導体:磁性不純物を添加する半導体の研究
　・近接効果を利用した強磁性半導体の実現
3．スピントロニクス材料と半導体の超高品質接合
　・半導体スピントロニクスデバイス
　・強磁性ホイスラー合金と半導体ゲルマニウムの超高品質界面の作製
　・ゲルマニウムスピントロニクスデバイスの室温動作
　・まとめ
4．界面マルチフェロイク材料
　・電気-磁気結合とその物理起源
　・電気-磁気結合の特徴
　・界面マルチフェロイク材料の例
　・将来展望
5．トポロジカル材料の表面・界面の物理
　・トポロジカル絶縁体
　・トポロジカル結晶絶縁体
　・まとめ

＜4＞低温・常温・大気中直接接合技術
1．低温・常温接合技術の技術動向と高熱伝導率材料の異種材料集積
　・さまざまな接合技術
　・表面活性化接合技術
　・高熱伝導率材料の集積化による高放熱構造
　・まとめ
2．高耐熱性ダイヤモンド/異種材料接合の素子応用-ダイヤモンド上低熱抵抗GaNトランジスタ
　・高耐熱性ダイヤモンド/異種材料接合
　・GaN-on-diamond HEMT
　・まとめ・将来展望
3．酸化ガリウム/ダイヤモンドおよび酸化ガリウム/炭素ケイ素の接合技術
　・概要
　・序論
　・Ga2O3/ダイヤモンドの接合
　・Ga2O3/SiC基板の直接接合
　・まとめと今後の展望
4．常温接合によるレーザーの作製とその応用
　・常温接合プロセス
　・複合構造レーザーの作製
　・波長変換デバイスの作製
　・まとめと今後の展望

＜5＞2次元原子層物質の積層・集積と界面現象および制御技術
1．2次元原子層物質の積層と物性制御
　・2層ヤヌスTMDの積層配向による電子物性制御
　・2層TMD系における電界効果キャリア蓄積
　・まとめ
2．グラフェン/hBN構造の作製と物性制御
　・積層構造作製技術
　・素子作製プロセス
　・グラフェン/hBNモアレ超格子の量子輸送
　・まとめ
3．2次元半導体応用のための界面・表面制御
　・2次元半導体の集積回路実装における期待と課題
　・表面電荷移送ドーピングによる2次元半導体のキャリア制御
　・ノンドープWSe2 FETの基本特性
　・分子吸着によるWSe2の電子ドーピング
　・表面酸化によるWSe2のホールドーピング
　・まとめ
4．酸化物ナノシートの階層的集積による機能性ナノ構造材料の創製
　・ソフト化学プロセスによる酸化物ナノシートの合成
　・酸化物ナノシートの階層的集積と機能

＜6＞全固体電池の界面現象と制御技術
1．全固体リチウム電池における界面抵抗の解明と低減
　・全固体電池における界面抵抗の低減の重要性
　・清浄な界面を有する薄膜型電池を活用した界面の定量的な研究
　・固体電解質-正極間の界面抵抗の起源を定量的に理解する
　・Li3PO4酸化物固体電解質-正極間における抵抗起源の定量的な研究
　・硫化物固体電解質-正極間の界面抵抗の起源解明に向けて
　・Li3PS4固体電解質をLiCoO2正極上に堆積した場合の電池動作
　・Li3PO4緩衝層の導入による電池動作の改善
　・界面抵抗の定量的な研究を通して今後の展望
2．リチウム固体電解質界面における電気二重層効果の制御
　・電界効果トランジスタを用いたホール測定に基づくリチウム固体電解質/ダイヤモンド界面の電気二重層効果の調査
　・リチウム固体電解質/ダイヤモンド界面への中間層挿入による充放電応答速度の制御